现代市场竞争以及光伏薄膜电池的发展态势，对镀膜性能提出了更高的要求，使当前旋转阴极企业的技术水平及产品难以满足市场需求。本项目实施，有助于旋转阴极的制造水平与国际接轨，降低ITO靶材消耗，减少硅、银、铟、镍铬等贵重稀有元素的浪费，降低薄膜制备生产成本，提高我国旋转阴极的自主创新能力，提升HJT电池的品质，为我国光伏产业及半导体行业等提供必要的技术储备，保障国民经济安全
1、对磁控溅射旋转阴极系统进行优化设计，从而保证溅射工作过程的稳定进行；
2、优化设计布气结构，采用主气路（管板式结构）布气和多段式辅助气路调节的思路，通过设计的闭环反馈控制系统实现多通道多位置的布气均匀性实时调节；
3、初步搭建磁场测试分析系统为磁铁的安装调整提供参考和支持，辅助有磁铁微调装置，大幅改善磁场分布均匀性；
4、采用双重密封防泄漏报警设计，有效降低泄漏发生概率，在泄漏前报警并精确锁定位置；研究电极冷却装置及旋转电刷设计，有效提升电流加载稳定性。
1.靶材利用率：从当前的75%提升至87%-95%（用实际消耗靶镀层厚度/新靶材镀层厚度计算）；
2.动态沉积速率：SiNx（氮化硅）靶≥70nm/min（溅射功率60KW）；Ag（银）靶≥48nm/min（溅射功率25KW）；
3.单层薄膜均匀性（通过辅气调整）：旋转阴极≤±1.2%；
4.旋转靶（硅铝靶、锌锡靶和锌铝靶）单靶膜厚（膜层78mm厚度）均匀性偏差≤±1.6%。